TechInsights：欧义麒麟9030采用中芯国际5nm级工艺 没用EUV光刻

快科技12月12日消息，麒麟权威半导体机构TechInsights研究后认为，采用华为最新发布的中芯欧义麒麟9030系列处理器，已经用上了中芯国际最新的国际光刻5nm级工艺，官方称之为“N+3”。艺没用

相比于之前的麒麟N+2 7nm级工艺，中芯国际实现了一次全新的采用跨越，并且显然已经投入量产，中芯可以满足华为Mate 80系列等产品的国际光刻大规模供货需求。

TechInsights还确认，艺没用中芯国际5nm级工艺没有使用EUV极紫外光刻，麒麟欧义而是采用依然使用DUV深紫外光刻，殊为不易。中芯

尽管如此，国际光刻中芯国际依然面临诸多严峻挑战，艺没用尤其是受限于金属间距的大幅缩减，良品率必然不会很高，甚至亏损生产。

当然，这方面不可能有官方的或者确切的数据，只能猜测。

目前性能最好的DUV浸没式光刻也只能做到193nm波长，EUV光刻则能达到13.5nm，差距是非常大的。

考虑到DUV光刻使用单次曝光只能实现38nm以下的分辨率，TechInsights认为中芯国际大概率对现有设备进行了优化挖潜，将单次曝光的分辨率提升至35nm左右，并通过多次曝光完成整个芯片电路的蚀刻。

事实上，自对准四重曝光(SAQP)等多重曝光技术已经应用多年，华为去年也公布了一份四重曝光技术专利，因此中芯国际在5nm级工艺上使用此类技术是十分合理的。

今年9月，中芯国际曾测试过上海御良昇科技自主研发的一款DUV浸没式光刻机。

资料显示，这款国产光刻机定位为28nm级工艺设备，技术水平与ASML 2008年左右的双工件台光刻机相近。

不过，TechInsights认为，中芯国际难以在短期内实现技术突破，这款国产设备不太可能用于麒麟9030系列的量产，因此中芯国际5nm级工艺大概率仍基于ASML DUV光刻机完成。

值得一提的是，著名投行高盛之前曾在一份报告中称，中国的国产光刻机只能生产65nm工艺的芯片，相比国际巨头ASML落后足足有大约20年，不过他们当时认为中芯国际只能量产7nm级工艺。

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